|
镍锗尖晶石位错域的高温蠕变实验研究 |
| [文章编号]!!!"#$%&&('!!")!$#!()(#!*[中图分类号]+$*,镍锗尖晶石位错域的高温蠕变实验研究赵永红",')-./.012345')6.71819:')镍锗尖晶石位错域的高温蠕变实验研究可以用空穴的尺寸和电性,栈错线或点缺陷化学等相关因素来解释. 基于滑动系统和晶体化学的研究结果,锗被认为是硅的...的点缺陷运动(扩散蠕变),前者的应力应变 |
|
|
等:水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制 |
| 于洪国 等:水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制 3079 水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制 于洪国,武壮文,王继荣,张海涛 (北京有色金属研究总院,国瑞电子等:水平掺硅砷化镓单晶生长过程中位错的控制单晶为主.随着发光管的价格的逐年走低,水平法生 长的掺硅单晶衬底的价格也逐年走低,但是生长单晶 过程中所需的砷,...小,这就要求单晶生产过程中的成 |
|
|
位错习题 |
| 6-1第6章 位错习题 1. 说明面心立方结构的潜在滑移系有12个,体心立方结构的潜在滑移系有48个. 2. 单晶体铜受拉伸形变,拉伸轴是[001],应力为104Pa.求作用在位错习题(b)设层错能γ=10-6J/cm2,G=7×1010Pa,点阵常数为0.3nm,υ=1/3.求上述两部分位错的 扩展宽度. (c)问把这扩展位错从平衡距离拉到2nm,要做功多少 2 |
|
位错和面缺陷 |
| 第六章 位错和面缺陷在第四章缺陷化学和与其相关的第五章固溶体和非化学计量化合物里,实际上讨论的是点缺陷.按缺陷几何形状划分,除了点缺陷外,还有线缺陷(即位错, dislocation)和面缺陷位错和面缺陷面缺陷包括堆垛层错,结晶切变面,孪晶界面,电磁畴界面,亚晶界,小角度晶界和大角度晶界等.本章仅讨论后两种,并安排在最后两节. §6.1位错模型的提出 6.1.1 晶体的滑移现象 |
|
|
位错题解 |
| 6-1第6章 位错题解 1. 说明面心立方结构的潜在滑移系有12个,体心立方结构的潜在滑移系有48个. 解:面心立方晶体的滑移系是{111}>,所以反应是可行的. 26位错题解如果位错移动更会在滑移面上产生层错,引起很大的能量增加,所以同是不稳定的. (d)如果有有一对平行的这样的同号位错组成一个超位错,即抽除6层原子面.这样的位 错的能量比单个位错存在时 |
|
位错模型的提出 |
| 2.3 线缺陷 (line defects ,dislocation )位错模型的提出背景 完整晶体塑性变形—滑移的模型→金属晶体的理论强度→理论强度比实测强度高出几个位错模型的提出三,位错的伯格斯矢量(Burgers vector)及位错的性质 伯格斯矢量:晶体中有位错存在时,滑移面一侧质点相对于另一侧质点的相对位移或畸变. 性质:大小表征了位错的单位滑 |