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硅外延层 |
| 《硅外延层,扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》(GB/T GB/T 14141-200X)编制说明任务来源及计划要求:根据全国有色金属标准化技术委员会《关于下达×××××通知》(有色标委(2006)第×号)的精神(计划编号20065624-T-469),由宁波立立电子股份有限公司,南京国盛电子有限公司,信息产业部专用材料质量监督检验中心负责修订《硅外延 |
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固体源分子束外延(MBE)中的射频氮等离子体源控制 |
| 固体源分子束外延(MBE)中的射频氮等离子体源控制 单层生长的在现场控制 外延生长中过压条件下观察 到的GaAs表面的反射高能 电子衍射(RHEED)图形 插页固体源分子束外延(MBE)中的射频氮等离子体源控制单层生长的在现场控制 外延生长中过压条件下观察 到的GaAs表面的反射高能 电子衍射(RHEED)图形 插页1——MBE表面重构和反射高能电 |
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分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构 |
| 分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构功能材料里深中心识别!卢励吾!)"张砚华!)#$%&'())%*+,-'.*))!)(中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室,分子束外延生长赝配高电子迁移率超高速微结构力[=](因热膨胀系数的差别远大于晶格常数的差 别)"在有压缩应力的89:48;材料里重空穴到导带 的能隙会随着应力...89:48;中与 |
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电容-电压法测量n/n+外延层中杂质浓度 |
| 电容-电压法测量n/n+外延层中杂质浓度 一, 实验目的 通过测量肖特基势垒二极管电容与反向电压的关系,测量硅及砷化镓n/n+外延层的杂质浓度随深度的分布. 二, 方法电容-电压法测量n/n+外延层中杂质浓度金属和N型半导体的SBD的空间电荷区很象一个P+N的单边突变结.金属一边空间电 荷区很窄,是因为载流子浓度很高,相当于很高的掺杂浓度.空间电荷的宽度几 |
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MOCVD外延GaN基UV-LED材料 |
| MOCVD外延GaN基UV-LED材料导师:王晓亮 研究员学生:王保柱 博士生研究背景:二十世纪九十年代以来,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)的方法,GaN基蓝绿MOCVD外延GaN基UV-LED材料随着LED发光波长的变短,GaN基LED有源层中Al组分越来越高,高质量Al(In)GaN材料的制备具有很大难度,一方面是MOCVD生长过程中晶格失配大 |
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应用织构极图研究ZnO外延膜的晶体取向特征1 |
| 应用织构极图研究ZnO外延膜的晶体取向特征1 顾滨兵1,侯长民2,黄科科2,高忠民2,李向山2 1.吉林大学计算机学院,2.吉林大学无机合成与制备化学国家重点实验室 长春 130012应用织构极图研究ZnO外延膜的晶体取向特征11.1应用有机金属化学气相沉积(MOCVD)法[6],在蓝宝石(Al2O3)衬底(0006)晶面上生 长ZnO薄膜.分别将DEZn(锌源)和高纯氧 |
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VDMOS功率器件用硅外延片 |
| VDMOS功率器件用硅外延片 南京国盛电子有限公司 1,产品及其简介 1973年美国IR公司推出VDMOS结构,将器件耐压,导通电阻和电流处理能力提高到一个新VDMOS功率器件用硅外延片而且一些品种所用衬底还是重掺As(电阻率<0.004Ωcm 背封衬底).众所周知,在N+衬底 上生长电阻率高而且均匀性好的...的要求,从衬底使用方面包括掺 |
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用于氮化镓外延生长的复合衬底获专利 |
| 用于氮化镓外延生长的复合衬底获专利,有望用于光电子器件制造 近日,由中科院上海技物所研究员陆卫等人发明的"一种用于氮化镓外延生长的复合衬底"获国家专利. 用于氮化镓外延生长的复合衬底获专利近日,由中科院上海技物所研究员陆卫等人发明的"一种用于氮化镓外延生长的复合衬底"获 国家专利. 该发明提供一种用于氮化镓外延生长的复合衬 |
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第七讲外延技术和条件 |
| 第七讲——外延技术和条件 l 晶格匹配条件 自然晶格匹配 1,晶格匹配材料系统的复习 2,晶格牵引 强制晶格匹配 1,假晶层 2,Mattews第七讲外延技术和条件在超高真空环境下的 基片上的慢真空沉 积 优点:极高的灵活性 简单的化学现场控制 原子层控制非平衡技术. 缺点:非原处清洁货提纯反应 (安装和操作)昂贵 非平衡技术 现在 |
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高亮度白光456用外延片的新进展! |
| !"#卷($%%&年)'期!!!!!!!!!!!!!())*:++,,,-,./0-12-23高亮度白光456用外延片的新进展!张国义7,$,",8!!陆!敏"!!陈志忠7,$,"高亮度白光456用外延片的新进展!了堆垛层错密度达7D457F+B,位错密度达HD45IF +B1的光滑表面的8面2*3,并在其上生长蓝光 (:H5,B).>J外延片,...应力逐渐得 |