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1功能性氮化物/氧化物薄膜 |
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金属间化合物R5Ga3作为助熔剂生长高熔点稀土氮化物 |
| 金属间化合物R5Ga3作为助熔剂生长高熔点稀土氮化物 RN(R=La,Ce,Pr)晶体的探索'赵景泰0娜校黄种乐十毛少喻+宋明虎(厦门大学材料科学系,+化学系,厦门361005)摘要金属间化合物R刃a.用作助熔剂首次生长出了毫米量级的高熔点稀土氮化物RN(R=La,Ce,Pr)晶体.晶体均匀性很好,LaN经X射线单晶结构修正至豆信因子(R因子 |
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水中溶氧检测方法-叠氮化物法 |
| 水中溶氧检测方法-叠氮化物法NIEA W421.57C 一,方法概要本方法为碘定量法检测水中溶氧的修正方式之一.碘定量法系最精确及可靠的溶氧滴定方法,其测定过程系将样品盛装於密水中溶氧检测方法-叠氮化物法亚硝酸盐为硝化过程之中间产物,可氧化溶氧测定过程中所加入的碘离子生成碘与二氧化二氮,而二氧化二氮再与空气中的氧作用生成亚硝酸盐,在滴定过程中溶液会由蓝色褪色再生成 |
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有机氮化物:氨基酸 |
| AE(=4 4 .1GLE sGJ# ,X#nAE(=*ó) :rP'-:A S pk/ T :*ó(=rP'-: 7 '+ ,X" 【实验目的及意... |
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13-EMGA-620W氧氮分析仪测定钢中氮化物分量的初探 |
| EMGA-620W氧氮分析仪测定钢中氮化物分量的初探程晓舫1 ,程坚平1 ,姚鑫2(马钢1.技术中心; 2.第四钢轧总厂,安徽马鞍山243000)目录前言实验部13-EMGA-620W氧氮分析仪测定钢中氮化物分量的初探根据不同氮化物的理论熔融温度,设计了多种分步升温程序,进行氮化物检测实验,鉴别不同氮化物析出峰,得到不同氮化物析出峰...3.1纯氮 |
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氮化物半导体物理特性与元件制作 |
| Physics and devices of nitride semiconductors 氮化物半导体物理特性与元件制作 1. InAlGaN薄膜与InGaN/GaN量子井探讨: 量氮化物半导体物理特性与元件制作我们发现利用MOCVD所成长的四元氮化物InAlGaN,可以比GaN或三元化合物AlGaN之发光效率 还强,此问题困扰了许多相关研究者,我们利用许多不同的光学与 |
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赌注:镓的氮化物大赌注:镓的氮化物 |
| 赌注:镓的氮化物大赌注:镓的氮化物一代蓝光半导体雷射下一代蓝光半导体雷射DVDDVD的关键的关键机一乙第二组一一..传统红光烧录机原理传统红光烧录机原理1.雷射赌注:镓的氮化物大赌注:镓的氮化物一代蓝光半导体雷射下一代蓝光半导体雷射DVDDVD的关键的关键 机一乙 第二组 一一..传统红光烧录机原理传统红光烧录机原理 1.雷射原理 电子跃迁 2.雷 |
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三元氮化物能带结构之模拟与分析 |
| 三元氮化物能带结构之模拟与分析 林文伟+,郭艳光* (+研究生,*副教授) 国立彰化师范大学物理研究所 E-mail: ykuo@cc.ncue.edu.tw 三元氮化物能带结构之模拟与分析三五族氮化物半导体在最近已被广泛的研究,并且应用在可见光与紫外线的发光元件上.但 是,到目前为止氮化铝镓铟相关的物理却仍有相当的研究空间,其中,与发光波长直接关 |
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III族氮化物量子点材料之模板控制式磊晶成长及光电元件... |
| III族氮化物量子点材料之模板控制式磊晶成长及光电元件应用主持人:果尚志 教授 许荣宗 副主任演讲者:林弘伟参与同学吴忠霖 博士:量子点成长沈昌宏:量子III族氮化物量子点材料之模板控制式磊晶成长及光电元件...在此基板上成长III族氮化物量子点 调整适合的成长参数 量测发光性质 发光元件制作 最近实验结果 041028 041102 04 |
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三元氮化物能带结构之模拟与分析 |
| 三元氮化物能带结构之模拟与分析林文伟+,郭艳光*(+研究生,*副教授)国立彰化师范大学物理研究所E-mail: ykuo@cc.ncue.edu.tw摘 要三元氮化物能带结构之模拟与分析三五族氮化物半导体在最近已被广泛的研究,并且应用在可见光与紫外线的发光元件上.但是,到目前为止氮化铝镓铟相关的...因此,我们使用国科会高速电脑中心所提供的CA |