|
!"结电容#电压法测量应变$%&'禁带宽度! |
| !"结电容#电压法测量应变$%&'禁带宽度!舒斌戴显英张鹤鸣(西安电子科技大学微电子研究所,西安!"##!")($##%年%月&日收到;$##%年&月'日收到修改稿)利!"结电容#电压法测量应变$%&'禁带宽度!结接触电势差,并得到()*+,()的价带偏移量和导带偏移量,进而求得()*+禁带宽度0该技 术测试方法简便,其过程物理. |
|
|
光电导法测量单晶硅的禁带宽度 |
| 实验 光电导法测量单晶硅的禁带宽度 禁带宽度是半导体材料的一个重要物理参数,材料及器件的许多物理和电学特性都与其密切相关. 实验以单晶硅为例,采用光电导法测量其禁带宽度,并光电导法测量单晶硅的禁带宽度实验表明,光电导率随入射光的波长变化而变化.当波长小于λm的短波波长时,光 电导率逐渐增加,波长增至某一值时光电导率达到最大值,尔后波长继续增加,但光电导 率并不 |
|
讨论pn结势垒高度对禁带宽度 |
| 第五章 pn结讨论pn结势垒高度对禁带宽度,掺杂浓度以及温度的依赖关系.若p,n两边掺杂浓度分别为1015/cm3和1017/cm3,求本征载流子浓度ni分别为1.51010/cm3和2.31讨论pn结势垒高度对禁带宽度若p,n两边掺杂浓度分别为1015/cm3和1017/cm3,求本征载流子浓度ni分别为1.51010/cm3和2.31013/cm3这两种情形300K时的自建势 |
|
|
宽禁带半导体材料清洗技术研究 |
|
|
新一代宽禁带半导体材料 |
| 新一代宽禁带半导体材料 回顾半导体的发展历程,随着不同时期新材料的出现,半导体的应用先后出现了几次飞跃.首先,硅材料的发现使半导体在微电子领域的应用获得突破性进展,日用家电和计算机的广泛应用都应该归功于硅材料的应用.而后,砷化镓材料的研究则使半导体的应用进入光电子学领域.用砷化镓基材料及其类似的一些化合物半导体,如镓铝砷,磷镓砷,铟镓砷,磷化镓,磷化铟和磷砷化镓等,制备出的发光二极管和半导 |